Мировые новости
Выбор редакции
Контактная зоовыставка "Федерация кошек" в городе Губкин!
18.06
В Белгороде сбили пенсионерку
12.03
Всероссийская акция «Единый день сдачи ЕГЭ родителями»
09.03
Муниципальный этап всероссийского конкурса «Я - исследователь» прошёл в Губкине
03.03
Губкинская команда по синхронному катанию прошла отбор в финал Кубка России
03.03
Восемь белгородцев попались на незаконном сбыте оружия
01.03
Опрос посетителей
Что бы Вы хотели видеть на сайте
21 ноя 09:00Политика
Молекулы позволят увеличить емкость флэш-памяти
Британские и испанские ученые предложили новые устройства для хранения памяти. В их основе лежат кластеры наноразмерных полиоксометаллатов. Использование нового материала позволяет существенно увеличить емкость обычной флэш-памяти. Это приводит к большей миниатюризации носителей информации, сообщают ученые в своей статье в журнале Nature. Авторы предлагают заменить МОП-структуру, используемую в полупроводниках флэш-памяти, на кластеры полиоксометаллатов. В своей работе ученым удалось добиться ее успешного встраивания в память. Сама МОП-структура используется при производстве различных полупроводниковых приборов. Название является аббревиатурой от «металл-оксид-полупроводник», слои которых ее образуют. Управление свойствами проводимости МОП-структуры осуществляется при помощи подачи напряжения на ее электрод (затвор). Идея ученых заключается в том, что они модифицировали оксидный слой МОП-структуры, добавив в него наноразмерные полиоксометаллаты. Полиоксометаллаты представляют собой группу металлооксидных соединений кластерного типа с богатой геометрией, нередко выступающих в роли катализаторов благодаря их низкой чувствительности к присутствию окислителей. Ранее предложенные учеными добавки в МОП-структуру приводили к низкой электропроводности и нагреванию образца. Новые окислительные возможности в МОП-структуре и позволили увеличить объемы хранимой информации.
Добавить комментарий