Европейские микросхемы могут быть не хуже "китайских"

В марте этого года расположенный в Гренобле институт CEA-Leti - Европейский центр разработки полупроводниковых и других технологий - предложил «национальную» программу поддержки европейских разработчиков полупроводников.
Программа «Silicon Impulse» даёт возможность завершить цикл разработки решений в Европе, включая выпуск изделий не в далёком Китае, а рядом - по-домашнему. Глобализация вывела за скобки европейские компании полупроводникового сектора, но остатки былых наработок всё ещё позволяют Европе грозно «бряцать пробирками».
На днях в программу «Silicon Impulse» внесено интересное дополнение. Сообщается, что теперь европейским разработчикам будет доступен 28-нм техпроцесс с применением подложек SOI с полностью обеднённым изолятором (fully-depleted silicon-on-insulator, FD-SOI). По слухам, подобные подложки может широко использовать компания Samsung при производстве 14-нм однокристальных схем для «умных» часов Apple Watch. В общем случае использование подложек с полностью обеднённым изолятором снижает токи утечки и повышает энергоэффективность микросхем и решений.
Слева структура транзистора на обычной кремниевой подложке, а справа на пластине FD-SOI
Слева структура транзистора на обычной кремниевой подложке, а справа на пластине FD-SOI
Производителем микросхем по программе «Silicon Impulse» с использованием подложек FD-SOI будет компания STMicroelectronics. Следует уточнить, что в Европе среди местных разработчиков осталось очень мало клиентов, которые могли бы самостоятельно заказать и оплатить коммерчески выгодные объёмы производства полупроводников в Европе (организовать производство в Китае - без проблем). Поэтому программа «Silicon Impulse» предусматривает возможность собрать для размещения на одной пластине заказы нескольких компаний. Это так называемое челночное MPW-производство (multi-project wafer, мультипроектные пластины). Компания STMicroelectronics, например, организует производство по таким проектам четыре раза в год. Первое производство с 28-нм техпроцессом на пластинах FD-SOI будет запущено в феврале 2016 года.
Преимущества использования подложек FD-SOI по сравненнию с обычными пластинами
Преимущества использования подложек FD-SOI по сравнению с обычными пластинами
Добавим, программа «Silicon Impulse» включает все этапы сопровождения разработки - от проектирования микросхем с использованием пакетов компаний Synopsys и Mentor Graphics до верификации проектов, производства и тестирования готовых изделий. Также в помощь разработчикам предоставляется возможность лицензировать готовые блоки от ядер ARM до интегрированных модулей различной функциональности вплоть до радиочастотных цепей.
Геннадий Детинич